东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。
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π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计，与现有的π-MOS VII系列相比，其EMI噪声峰值低5dB[1]，同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度，因此有助于减小设计工作量。此外，π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。
东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件，以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。
应用场合
特点
主要规格
产品型号
封装
绝对最大 额定值
RDS(ON) 最大值(Ω) VGS=10V
Qg 典型值 (nC)
Ciss 典型值 (pF)
当前一代 （π-MOS VII系列） 产品型号
VDSS (V)
ID (A)
TK650A60F
TO-220SIS
600
11
0.65
34
1320
TK11A60D
TK750A60F
10
0.75
30
1130
TK10A60D
TK1K2A60F
6
1.2
20.5
740
TK6A60D(1.25Ω)
TK1K9A60F
3.7
1.9
14
490
TK4A60DB(2.0Ω)
注： [1] TK10A60D与TK750A60F相比较（200MHz地区的65W笔记本电脑适配器）
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东芝电子元件及存储装置株式会社：600V平面MOSFET新系列“π-MOS IX”（照片：美国商业资讯）